霍 尔 离 子 源 简 介

    我公司自行研发的HALL149-10B型号霍尔离子源弥补了国产离子源的长期以来不带水冷的缺点，具有离子能谱窄、离子均匀区宽、束流大等特点.其具有能以外长时间能够稳定工作、实现一键式操作等优点。本公司研制的系列霍尔离子源中采用了一些独特的设计：通过对磁场进行有限元分析，采用磁场尖角发散场设计的同时,对气体放电进行MHD方程有限时域差分分析，并经过多次正交实验,优化产品结构,保证良好的放电特性。具有体积小，结构紧凑、操作方便、性能可靠、用气量小和阳极清洗方便等一系列优点。
    霍尔离子源现已在薄膜辅助沉积和表面处理中得到了日益广泛的应用，特别适用于薄膜沉积过程中的改性、表面清洗提高附着力、氧化物镀膜材料的充分氧化以及提高膜层致密性等方面。除此之外钝化表面、产生优选的晶体方向和激活表面的化学反应等方面，都有很好的应用前景。

HALL90-4.5A型霍尔离子源

HALL离子源主要参数表